STGB10NC60HD
Symbol Micros:
TSTGB10nc60hd
Gehäuse: D2PAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Äquivalent: STGB10NC60HDT4;
Parameter
| Gate-Ladung: | 19,2nC |
| Maximale Verlustleistung: | 65W |
| Max. Kollektor-Strom: | 20A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGB10NC60HDT4
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8406 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGB10NC60HDT4
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
870 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9975 |
| Gate-Ladung: | 19,2nC |
| Maximale Verlustleistung: | 65W |
| Max. Kollektor-Strom: | 20A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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