STGB10NC60HD

Symbol Micros: TSTGB10nc60hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 65W; 3,75V~5,75V; 19,2nC; -55°C~150°C; Äquivalent: STGB10NC60HDT4;

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Parameter
Gate-Ladung: 19,2nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom: 20A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGB10NC60HDT4 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,8505
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGB10NC60HDT4 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
430 stk.
Anzahl Stück 10+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 1,0092
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 19,2nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom: 20A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V

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