STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD10nc60kdt4
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 62W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 19nC |
Maximale Verlustleistung: | 62W |
Max. Kollektor-Strom: | 20A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGD10NC60KDT4 RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 89+ | 267+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5503 | 1,1486 | 1,0030 | 0,9349 | 0,9114 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGD10NC60KDT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
22500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,9114 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGD10NC60KDT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9114 |
Gate-Ladung: | 19nC |
Maximale Verlustleistung: | 62W |
Max. Kollektor-Strom: | 20A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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