STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD10nc60kdt4
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 20A; 30A; 62W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 19nC |
| Maximale Verlustleistung: | 62W |
| Max. Kollektor-Strom: | 20A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gate-Ladung: | 19nC |
| Maximale Verlustleistung: | 62W |
| Max. Kollektor-Strom: | 20A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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