STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD3nb60sdt4
Gehäuse: DPAK
Trans IGBT ; 600V; 20V; 6A; 25A; 48W; 2,5V~4,5V; 23nC; -65°C~175°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 23nC |
| Maximale Verlustleistung: | 48W |
| Max. Kollektor-Strom: | 6A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 25A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 4,5V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGD3NB60SDT4
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
2390 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6695 |
| Gate-Ladung: | 23nC |
| Maximale Verlustleistung: | 48W |
| Max. Kollektor-Strom: | 6A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 25A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 4,5V |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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