STGD3NB60SDT4 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGD3nb60sdt4
Gehäuse: DPAK
IGBT 600V 6A 48W
Parameter
Gate-Ladung: | 23nC |
Maximale Verlustleistung: | 48W |
Max. Kollektor-Strom: | 6A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 25A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 4,5V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gate-Ladung: | 23nC |
Maximale Verlustleistung: | 48W |
Max. Kollektor-Strom: | 6A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 25A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 4,5V |
Gehäuse: | DPAK |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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