STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGD6nc60hdt4
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
IGBT 600V 15A 56W
Parameter
Gate-Ladung: 13,6nC
Maximale Verlustleistung: 56W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 21A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGD6NC60HDT4 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
28 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3338 0,9346 0,7937 0,7256 0,7021
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGD6NC60HD RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3338 0,9346 0,7937 0,7256 0,7021
Standard-Verpackung:
100
Gate-Ladung: 13,6nC
Maximale Verlustleistung: 56W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 21A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: DPAK
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD