STGF10NB60SD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGF10nb60sd
Gehäuse: TO220FP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 23A; 80A; 25W; 2,5V~5,0V; 33nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: | 33nC |
Maximale Verlustleistung: | 25W |
Max. Kollektor-Strom: | 23A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 5,0V |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF10NB60SD
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7699 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF10NB60SD
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,7139 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF10NB60SD
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
33300 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,7405 |
Gate-Ladung: | 33nC |
Maximale Verlustleistung: | 25W |
Max. Kollektor-Strom: | 23A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 5,0V |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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