STGF10NB60SD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGF10nb60sd
Gehäuse: TO220FP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 23A; 80A; 25W; 2,5V~5,0V; 33nC; -55°C~150°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 33nC |
| Maximale Verlustleistung: | 25W |
| Max. Kollektor-Strom: | 23A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 5,0V |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF10NB60SD
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7081 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF10NB60SD
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
6300 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7344 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGF10NB60SD
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
47 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7283 |
| Gate-Ladung: | 33nC |
| Maximale Verlustleistung: | 25W |
| Max. Kollektor-Strom: | 23A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 2,5V ~ 5,0V |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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