STGF7NB60SL STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGF7NB60SL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
15A; 600V; 25W; IGBT
Parameter
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 25W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,2V ~ 2,4V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
509 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8598 1,4841 1,2704 1,1412 1,0943
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 25W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,2V ~ 2,4V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT