STGF7NB60SL STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGF7NB60SL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 20A; 25W; 1,2V~2,4V; 22nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 25W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,2V ~ 2,4V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGF7NB60SL RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
509 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8604 1,4845 1,2708 1,1416 1,0946
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 22nC
Maximale Verlustleistung: 25W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 20A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 1,2V ~ 2,4V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT