STGP7NC60HD

Symbol Micros: TSTGP7nc60hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220
Parameter
Gate-Ladung: 48nC
Maximale Verlustleistung: 80W
Max. Kollektor-Strom: 25A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP7NC60HD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4770 1,1271 0,9322 0,8172 0,7773
Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 48nC
Maximale Verlustleistung: 80W
Max. Kollektor-Strom: 25A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT