STGP7NC60HD

Symbol Micros: TSTGP7nc60hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 25A; 50A; 80W; 3,75V~5,75V; 48nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 48nC
Maximale Verlustleistung: 80W
Max. Kollektor-Strom: 25A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP7NC60HD RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
144 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4470 1,1042 0,9133 0,8006 0,7615
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP7NC60HD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2650 stk.
Anzahl Stück 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,7615
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP7NC60HD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
17140 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,7615
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 48nC
Maximale Verlustleistung: 80W
Max. Kollektor-Strom: 25A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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