STGP8NC60KD

Symbol Micros: TSTGP8nc60kd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Trans IGBT ; 600V; 20V; 15A; 30A; 65W; 4,5V~6,5V; 19nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP8NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4986
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP8NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1200 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4715
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGP8NC60KD Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7594
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 19nC
Maximale Verlustleistung: 65W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT