STGW19NC60HD

Symbol Micros: TSTGW19nc60hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
42A; 600V; 140W; IGBT
Parameter
Gate-Ladung: 53nC
Maximale Verlustleistung: 140W
Max. Kollektor-Strom: 42A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW19NC60HD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 2,9047 2,3975 2,0993 1,9537 1,8739
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 53nC
Maximale Verlustleistung: 140W
Max. Kollektor-Strom: 42A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT