STGW20NC60VD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGW20nc60vd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 200W; 3,75V~5,75V; 140nC; -55°C~150°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 140nC |
Maximale Verlustleistung: | 200W |
Max. Kollektor-Strom: | 60A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,7365 | 2,1023 | 1,8251 | 1,7735 | 1,7100 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
930 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,7100 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
6180 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,7100 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
270 stk.
Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,7270 |
Gate-Ladung: | 140nC |
Maximale Verlustleistung: | 200W |
Max. Kollektor-Strom: | 60A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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