STGW20NC60VD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW20nc60vd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
60A; 600V; 200W; IGBT
Parameter
Gate-Ladung: 140nC
Maximale Verlustleistung: 200W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
46 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,7356 2,1016 1,8245 1,7729 1,7095
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 140nC
Maximale Verlustleistung: 200W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD