STGW20NC60VD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW20nc60vd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 200W; 3,75V~5,75V; 140nC; -55°C~150°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 140nC
Maximale Verlustleistung: 200W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,7365 2,1023 1,8251 1,7735 1,7100
Standard-Verpackung:
30/60
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
930 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7100
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
6180 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7100
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7270
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 140nC
Maximale Verlustleistung: 200W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD