STGW20NC60VD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW20nc60vd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 150A; 200W; 3,75V~5,75V; 140nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 140nC
Maximale Verlustleistung: 200W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW20NC60VD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,7875 2,1415 1,8591 1,8065 1,7419
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 140nC
Maximale Verlustleistung: 200W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD