STGW30NC120HD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW30nc120hd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
60A; 1200V; 220W; IGBT

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Parameter
Gate-Ladung: 110nC
Maximale Verlustleistung: 220W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 135A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-30
Anzahl Stück: 30
Gate-Ladung: 110nC
Maximale Verlustleistung: 220W
Max. Kollektor-Strom: 60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 135A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 25V
Montage: THT