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STGW30V60DF STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW30v60df

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 60A; 120A; 258W; 5,0V~7,0V; 163nC; -55°C~175°C;

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Parameter

Gate-Ladung:	163nC
Maximale Verlustleistung:	258W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW30V60DF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

11160 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4882

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW30V60DF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

4470 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3795

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW30V60DF Gehäuse: TO247

Externes Lager:

2170 stk.

Anzahl Stück	30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0735

Gate-Ladung:	163nC
Maximale Verlustleistung:	258W
Max. Kollektor-Strom:	60A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	120A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 7,0V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT