STGW39NC60VD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGW39nc60vd
Gehäuse: TO247
80A; 600V; 250W; IGBT
Parameter
| Gate-Ladung: | 126nC |
| Maximale Verlustleistung: | 250W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 220A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gate-Ladung: | 126nC |
| Maximale Verlustleistung: | 250W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 220A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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