STGW39NC60VD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW39nc60vd
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 220A; 250W; 3,75V~5,75V; 126nC; -55°C~150°C;
Parameter
Gate-Ladung: 126nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 220A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
58 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,1443 2,7949 2,5844 2,4791 2,4192
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Standard-Verpackung:
30/330
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,4192
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
120 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,4192
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 126nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 220A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,75V ~ 5,75V
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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