STGW39NC60VD STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTGW39nc60vd
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 220A; 250W; 3,75V~5,75V; 126nC; -55°C~150°C;
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Parameter
| Gate-Ladung: | 126nC |
| Maximale Verlustleistung: | 250W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 220A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,7630 | 3,1641 | 2,8047 | 2,6261 | 2,5251 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1800 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5251 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
720 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5251 |
| Gate-Ladung: | 126nC |
| Maximale Verlustleistung: | 250W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 220A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,75V ~ 5,75V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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