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STGW39NC60VD STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTGW39nc60vd

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 220A; 250W; 3,75V~5,75V; 126nC; -55°C~150°C;

Parameter

Gate-Ladung:	126nC
Maximale Verlustleistung:	250W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	220A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,75V ~ 5,75V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

58 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	3,1443	2,7949	2,5844	2,4791	2,4192

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD Gehäuse: TO247

Externes Lager:

1800 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4192

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STGW39NC60VD Gehäuse: TO247

Externes Lager:

120 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4192

Gate-Ladung:	126nC
Maximale Verlustleistung:	250W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	220A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,75V ~ 5,75V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	STMicroelectronics
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD