STN1HNK60
Symbol Micros:
TSTN1HNK60
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 8,5 Ohm; 400mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 400mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1HNK60 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
250 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5049 | 0,3063 | 0,2355 | 0,2089 | 0,2017 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1HNK60
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2017 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1HNK60
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
124000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2017 |
Widerstand im offenen Kanal: | 8,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 400mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,3W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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