STN1NK60Z
Symbol Micros:
TSTN1nk60z
Gehäuse: SOT223t/r
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 15 Ohm; 300mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 15Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,3W |
Gehäuse: | SOT223t/r |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1855 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,4360 | 0,2401 | 0,1888 | 0,1749 | 0,1676 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z
Gehäuse: SOT223t/r
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1676 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z
Gehäuse: SOT223t/r
Externes Lager:
124000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1676 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z
Gehäuse: SOT223t/r
Externes Lager:
276000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1676 |
Widerstand im offenen Kanal: | 15Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 3,3W |
Gehäuse: | SOT223t/r |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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