STN1NK60Z

Symbol Micros: TSTN1nk60z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223t/r
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 15 Ohm; 300mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223t/r
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1855 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4360 0,2401 0,1888 0,1749 0,1676
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z Gehäuse: SOT223t/r  
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1676
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z Gehäuse: SOT223t/r  
Externes Lager:
124000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1676
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z Gehäuse: SOT223t/r  
Externes Lager:
276000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1676
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223t/r
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD