STN1NK60Z

Symbol Micros: TSTN1nk60z
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Gehäuse: SOT223t/r
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N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 15 Ohm; 300mA; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223t/r
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN1NK60Z RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1855 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4378 0,2411 0,1896 0,1756 0,1683
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Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223t/r
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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