STN3N40K3

Symbol Micros: TSTN3N40K3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 3,4 Ohm; 1,8A; 3,3 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,4Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N40K3 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4779 0,2891 0,2226 0,2010 0,1912
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N40K3 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
56000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1912
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N40K3 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1912
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,4Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 3,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD