STN3N45K3 SOT223

Symbol Micros: TSTN3n45k3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET 0.6A 450V 2,0 W 3.8Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 450V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STN3N45K3 RoHS Gehäuse: SOT223 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4369 0,2407 0,1895 0,1755 0,1682
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 450V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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