STN3NF06L

Symbol Micros: TSTN3NF06L VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: STN3NF06L RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 600+
Nettopreis (EUR) 0,9317 0,6212 0,5137 0,4647 0,4437
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Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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