STP100N6F7
Symbol Micros:
TSTP100N6F7
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 100A 60V 125W 0.056Ω
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP100N6F7
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2600 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9162 |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5574 | 1,2426 | 1,0631 | 0,9559 | 0,9162 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP100N6F7
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1950 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9162 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP100N6F7
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
217150 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9162 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ST |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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