STP10NK60Z

Symbol Micros: TSTP10NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 115 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 1,4671 1,0225 0,8681 0,8166 0,7722
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Standard-Verpackung:
50/250
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8850 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7722
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2308 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7722
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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