STP10NK60Z
Symbol Micros:
TSTP10NK60Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 115 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3278 | 0,9304 | 0,7434 | 0,7224 | 0,6990 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
18500 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6990 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
12850 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6990 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4208 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6990 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 750mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole