STP10NK60Z

Symbol Micros: TSTP10NK60Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
115 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 1,4651 1,0211 0,8669 0,8155 0,7711
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Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 115W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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