STP10NK60ZFP

STP10NK60ZFP ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für den Einsatz in Hochspannungs- und Hochlastkreisen ausgelegt ist. Er zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 600V und einen maximalen Drainstrom von 10A aus. Diese Parameter machen ihn ideal für Anwendungen in Schaltnetzteilen, Energiewandlern und Motorsteuerungssystemen.

Der STP10NK60ZFP-Transistor nutzt die SuperMESH™-Technologie, die einen niedrigen Einschaltwiderstand (unter 750mOhm) gewährleistet, die Energieeffizienz erhöht und Leistungsverluste reduziert. Mit integriertem Zener-geschütztem Gate-Schutz ist der Transistor vor Spannungsspitzen geschützt, und seine hohe Energietoleranz im Lawinenmodus sowie die große Widerstandsfähigkeit gegenüber schnellen Spannungsänderungen (dv/dt) machen ihn zu einer zuverlässigen Lösung selbst für anspruchsvollste Anwendungen.

Der STP10NK60ZFP arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C, was seinen Einsatz in anspruchsvollen industriellen Umgebungen ermöglicht. Das TO220iso-Gehäuse mit thermischer Isolierung sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sichere elektrische Isolation, was die Montage vereinfacht und die Sicherheit erhöht.