STP10NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP10NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
980 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3763 1,0515 0,8692 0,7617 0,7244
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT