STP10NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP10NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 750 mOhm; 10A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
103 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3124 1,0012 0,8281 0,7252 0,6901
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
3951 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6901
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP10NK60ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6901
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-03-07
Anzahl Stück: 4000
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

STP10NK60ZFP ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für den Einsatz in Hochspannungs- und Hochlastkreisen ausgelegt ist. Er zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 600V und einen maximalen Drainstrom von 10A aus. Diese Parameter machen ihn ideal für Anwendungen in Schaltnetzteilen, Energiewandlern und Motorsteuerungssystemen.

Der STP10NK60ZFP-Transistor nutzt die SuperMESH™-Technologie, die einen niedrigen Einschaltwiderstand (unter 750mOhm) gewährleistet, die Energieeffizienz erhöht und Leistungsverluste reduziert. Mit integriertem Zener-geschütztem Gate-Schutz ist der Transistor vor Spannungsspitzen geschützt, und seine hohe Energietoleranz im Lawinenmodus sowie die große Widerstandsfähigkeit gegenüber schnellen Spannungsänderungen (dv/dt) machen ihn zu einer zuverlässigen Lösung selbst für anspruchsvollste Anwendungen.

Der STP10NK60ZFP arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55°C bis +150°C, was seinen Einsatz in anspruchsvollen industriellen Umgebungen ermöglicht. Das TO220iso-Gehäuse mit thermischer Isolierung sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und sichere elektrische Isolation, was die Montage vereinfacht und die Sicherheit erhöht.