STP10NK80ZFP
Symbol Micros:
TSTP10NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 900 mOhm; 9A; 40W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK80ZFP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9885 | 1,5875 | 1,3577 | 1,2193 | 1,1701 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
3900 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1701 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10NK80ZFP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
950 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1701 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 900mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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