STP10P6F6
Symbol Micros:
TSTP10P6F6
Gehäuse: TO220
P-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 160 mOhm; 10A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7051 | 0,4474 | 0,3537 | 0,3209 | 0,3069 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10P6F6
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5347 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10P6F6
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
550 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5155 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP10P6F6
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
480 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6085 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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