STP10P6F6
Symbol Micros:
TSTP10P6F6
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET P-CH 60V 10A
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 30W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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