STP11NK40Z

Symbol Micros: TSTP11NK40Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 400V; 30V; 550mOhm; 9A; 110W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK40Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,0842 0,7220 0,5561 0,5374 0,5164
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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