STP11NK40ZFP

Symbol Micros: TSTP11NK40ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 400V; 400V; 30V; 550 mOhm; 9A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,2733 0,8934 0,7152 0,6941 0,6706
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK40ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6706
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Msx. Drain-Gate Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole