STP11NK50ZFP

Symbol Micros: TSTP11NK50ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 520 mOhm; 10A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 520mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK50ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1420 0,8395 0,6730 0,5768 0,5440
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK50ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5440
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NK50ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
2100 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5714
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 520mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT