STP11NM60ND

Symbol Micros: TSTP11NM60ND

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 450 mOhm; 10A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	90W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NM60ND Gehäuse: TO220

Externes Lager:

950 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9497

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP11NM60ND Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2155 stk.

Anzahl Stück	150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0880

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	90W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT