STP11NM80
Symbol Micros:
TSTP11NM80
Gehäuse: TO220
N-MOSFET 11A 800V 150W
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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