STP11NM80
Symbol Micros:
TSTP11NM80
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 400 mOhm; 11A; 150 W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0530 | 2,6380 | 2,3941 | 2,2394 | 2,1807 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NM80
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4670 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1807 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP11NM80
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2750 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1807 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 11A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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