STP12NK30Z

Symbol Micros: TSTP12NK30Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET N-CH 300V 9A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Msx. Drain-Gate Spannung: 300V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP12NK30Z RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9230 0,6776 0,5421 0,4650 0,4393
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Msx. Drain-Gate Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT