STP12NM50FP
Symbol Micros:
TSTP12NM50FP
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 350 mOhm; 12A; 35W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NM50FP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2441 | 1,7235 | 1,4656 | 1,4327 | 1,4022 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NM50FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
23000 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4022 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP12NM50FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
4500 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4022 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 350mOhm |
| Max. Drainstrom: | 12A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 35W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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