STP12NM50FP

Symbol Micros: TSTP12NM50FP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET 12A 500V 35W

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP12NM50FP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
46 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2361 1,7174 1,4604 1,4277 1,3973
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 350mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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