STP13N80K5 STMicroelectronics

Name: TSTP13N80k5 TSTP13N80k5
Brand: ST
SKU: TSTP13N80k5
Price: 1.8290 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSTP13N80k5

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 800V; 30V; 450 mOhm; 12A; 190 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13N80K5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

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100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,5606	2,2136	2,0072	1,8783	1,8290

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13N80K5 Gehäuse: TO220

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Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4923

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13N80K5 Gehäuse: TO220

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Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8290

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13N80K5 Gehäuse: TO220

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4850 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,8290

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	12A
Maximaler Leistungsverlust:	190W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	800V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT