STP13NK60Z
Symbol Micros:
TSTP13NK60Z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 13A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0904 | 1,6064 | 1,3655 | 1,3351 | 1,3071 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP13NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3400 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3071 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP13NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3100 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3071 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP13NK60Z
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10450 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3071 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 13A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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