STP13NK60ZFP

Symbol Micros: TSTP13NK60ZFP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 550 mOhm; 13A; 35W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13NK60ZFP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9885 1,4749 1,2287 1,1982 1,1701
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13NK60ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2847
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP13NK60ZFP Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1701
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT