STP140N8F7 STM

Symbol Micros: TSTP140n8f7

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 4,3 mOhm; 90A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,3mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP140N8F7 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2706

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP140N8F7 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2704

Widerstand im offenen Kanal:	4,3mOhm
Max. Drainstrom:	90A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT