STP14NM50N

Symbol Micros: TSTP14NM50N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 320 mOhm; 12A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP14NM50N RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5547 1,0880 0,9262 0,8465 0,8184
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP14NM50N Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8184
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 90W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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