STP16NF06

Symbol Micros: TSTP16NF06
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100 mOhm; 16A; 45W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16NF06 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8043 0,5042 0,3963 0,3728 0,3494
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
7000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3494
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP16NF06 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
11959 stk.
Anzahl Stück 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3494
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT