STP18NM80
Symbol Micros:
TSTP18NM80
Gehäuse: TO220
Transistor N-Kanal MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 295mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,3462 | 2,9874 | 2,7693 | 2,6286 | 2,5747 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP18NM80
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1524 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5747 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP18NM80
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
42150 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5747 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 295mOhm |
| Max. Drainstrom: | 17A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 190W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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