STP19NF20
Symbol Micros:
TSTP19NF20
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 160 mOhm; 15A; 90W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 15A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1091 | 0,8137 | 0,6519 | 0,5604 | 0,5276 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP19NF20
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
653 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5276 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP19NF20
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5389 |
Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
Max. Drainstrom: | 15A |
Maximaler Leistungsverlust: | 90W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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