STP20N95K5

Symbol Micros: TSTP20N95K5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 950V; 30V; 330 mOhm; 17,5A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 330mOhm
Max. Drainstrom: 17,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20N95K5 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,3242 5,3698 4,7836 4,4858 4,3029
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 330mOhm
Max. Drainstrom: 17,5A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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