STP20NF06L

Symbol Micros: TSTP20NF06L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 60V; 18V; 85mOhm; 20A; 60W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ISC Hersteller-Teilenummer: STP20NF06L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8840 0,5604 0,4432 0,4033 0,3846
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: STP20NF06L RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8840 0,5604 0,4432 0,4033 0,3846
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP20NF06L Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5735
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 85mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 18V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT