STP20NM60FP
Symbol Micros:
TSTP20NM60FP
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 290 mOhm; 20A; 45W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 290mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,4052 | 3,0369 | 2,8169 | 2,6734 | 2,6184 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6184 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1458 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6184 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP20NM60FP
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
1150 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6184 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 290mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 45W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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