STP22NF03L

Symbol Micros: TSTP22NF03L
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 15V; 60mOhm; 22A; 45W; -65 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP22NF03L RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5542 0,3514 0,2759 0,2523 0,2405
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 22A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 175°C
Montage: THT

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