STP22NM60N

Symbol Micros: TSTP22NM60N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 220 mOhm; 16A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 220mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP22NM60N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2980 1,8243 1,5875 1,5593 1,5312
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 220mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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