STP23NM50N

Symbol Micros: TSTP23NM50N

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 190 mOhm; 17A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP23NM50N Gehäuse: TO220

Externes Lager:

207 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4485

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP23NM50N Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6966

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT