STP24N60M2

Symbol Micros: TSTP24N60M2

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 190 mOhm; 18A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP24N60M2 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3850 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2629

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP24N60M2 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,2628

Widerstand im offenen Kanal:	190mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT