STP24NF10
Symbol Micros:
TSTP24NF10
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 60mOhm; 26A; 85W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 26A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP24NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
23550 stk.
| Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3533 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP24NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
30150 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2976 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 26A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 85W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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