STP28NM50N

Symbol Micros: TSTP28NM50N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET 21A 500V 150W 0.158Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 158mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP28NM50N Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2800 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3540
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 158mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ST
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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