STP30NF10
Symbol Micros:
TSTP30NF10
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 45mOhm; 35A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0822 | 0,7191 | 0,5528 | 0,5224 | 0,5153 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP30NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
31550 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5153 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STP30NF10
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
971 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5153 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 45mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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