STP30NF20

Symbol Micros: TSTP30NF20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 75 mOhm; 30A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP30NF20 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
3350 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8281
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP30NF20 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
18296 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8278
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT