STP310N10F7 STM

Symbol Micros: TSTP310N10F7

Gehäuse: TO220

N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 2,7 mOhm; 180A; 315W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,7mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	315W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP310N10F7 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	5,6948	4,8214	4,2960	3,9551	3,8226

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP310N10F7 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

11600 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,8226

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP310N10F7 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1900 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,8226

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STP310N10F7 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	3,8226

Widerstand im offenen Kanal:	2,7mOhm
Max. Drainstrom:	180A
Maximaler Leistungsverlust:	315W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT